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如何降低LED外延晶片生产成本?
发布日期:2020-07-23 18:13

【九正建材网】 在谈到ASF长晶炉,paul介绍这款设备是从下到上生长的,这个技术对于温控系统的精度要求较高,这也是GTAT的优势之一。另外,值得提起的是ASF的长晶炉从研发初期能长晶85公斤的到后来的110公斤遭到现在的115公斤,都是在同一台设备上。

LED照明产业一直备受关注,历经数年的爆发式发展伴随着的也是各种质疑声。行业里存在的产能过剩、标准缺失、核心技术匮乏、产品质量良莠不齐、成本控制等问题一直被业内诟病。那么,行业究竟面临着怎样的现状,未来发展趋势将如何?这些无疑已成为此次研讨会讨论的重点。

GT Advanced Technologies(以下称GTAT)的副总裁Paul Beaulieu在谈到如何降低LED外延晶片生产成本时,提出ASF长晶炉、提高产能HVPE设备、SIC长晶炉和Hy离子注入机。

在谈到ASF长晶炉,paul介绍这款设备是从下到上生长的,这个技术对于温控系统的精度要求较高,这也是GTAT的优势之一。另外,值得提起的是ASF的长晶炉从研发初期能长晶85公斤的到后来的110公斤遭到现在的115公斤,都是在同一台设备上。对于从下往上长晶的方法在长晶的过程中能迅速排出气泡,不同于一般从上往下的长晶设备。

GTAT副总裁Paul称,虽然LED市场已经回暖,GTAT作为上游设备的供应商,对于这种能长出大尺寸蓝宝石的设备还是有很大的市场需求的。作为一些行业内的龙头企业,对于这种设备的需求是很明显的。因为GTAT知道蓝宝石材料是非常珍贵的。如果能够降低它的成本,肯定能获得市场的肯定。同时这一直都是GTAT的发展方向。另外Paul表示GTAT官网上有些有关蓝宝石的参数报告,可以供更深的了解。

在谈到HVPE设备时,Paul表示它能够提供更快的磊晶方式生长晶片。这种设备的能降低成本是因为采用了统一的多晶片的专用的注射系统,比传统的MOCVD更低;另外就是HVPE联合mocvd可以改变有些层的磊晶效果,而且HVPE更适合工业生产。更大的提高了工厂的产能。另外,Paul强调如果外延片厂家用HVPE可以降低25%的磊晶成本,同时能将产能翻番。Paul表示6MOCVD+3HVPE的产能=12台MOCVD的产能。

对于后GTAT还推出了SiC的晶体生长炉,所生长的碳化硅是高温半导体材料将用于电力电子产品设备;GT在Q2发布了其代硅硬质合金升华炉期望SiC业务将坡道缓慢鉴于设计周期长新电力设备;长期增长机会是在配对SiC与Hyperion技术。对于HY离子注入机,据Paul介绍该设备拥有多款专利,可以降低市场成本;并且该设备生产的东西更薄,未来的市场会很大。

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